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サムスン⇒映画40本 32Gbのフラッシュメモリーを

サムスン電子は、記憶容量32ギガビットと最大のNAND型フラッシュメモリーを世界で初めて開発した。

Samsung_1将来的には256ギガビットまで増大可。記憶素子の回路で主流だった浮遊ゲートに代わる新技術チャージ・トラップ・フラッシュCTFの開発に成功。

回路の線幅40ナノメートルの最先端微細加工技術が可能に。32ギガビットのフラッシュメモリーを使った場合、64ギガバイトのメモリーカードが製造でき、映画なら40本、新聞なら400年分の情報を保存できるという。

■1ナノメートル=10億分の1メートル


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